Ionenstrahlätzen


Ionenstrahlätzen
jonpluoštis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion-beam etching; ion-beam milling vok. Ionenstrahlätzen, n rus. ионно-лучевое травление, n; ионно-пучковое травление, n pranc. décapage par faisceau ionique, m

Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. . 2000.

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  • Ionenstrahlätzen — Ionenstrahlätzen,   Trockenätzverfahren der Halbleitertechnologie, bei dem mit hochbeschleunigten Ionenstrahlen nach dem Prinzip der Kathodenzerstäubung auf einem Wafer Strukturen integrierter Schaltungen herausgearbeitet werden können. Durch… …   Universal-Lexikon

  • Ionenstrahlätzen — Die Ionendünnung ist ein häufig angewandtes physikalisches Verfahren, was zur Strukturierung meist elektrischer Bauelemente, sowie zum Herstellen dünnster Proben angewendet wird. Es handelt sich hierbei um ein Trockenätzverfahren. Andere… …   Deutsch Wikipedia

  • Ionenstrahlätzen in einer Diodenätzanlage — dvielektrodis joninis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. diode ion etching vok. Diodenätzen, n; Ionenstrahlätzen in einer Diodenätzanlage, n rus. двухэлектродное ионное травление, n pranc. décapage ionique à l… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • reaktives Ionenstrahlätzen — reaktyvusis jonpluoštis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ion beam etching vok. reaktives Ionenstrahlätzen, n rus. реактивное ионно пучковое травление, n pranc. décapage par faisceau d ions réactifs, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Plasma-unterstütztes Ätzen — (physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen sie alternative Strukturierungsverfahren zum sog. Nassätzen (nasschemischen …   Deutsch Wikipedia

  • RIE — Plasma unterstütztes Ätzen ( physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen eine alternative Strukturierungverfahren zu dem …   Deutsch Wikipedia

  • Reaktives Ionenätzen — Plasma unterstütztes Ätzen ( physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen eine alternative Strukturierungverfahren zu dem …   Deutsch Wikipedia

  • Chemical Vapour Deposition — Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition, CVD) versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen eingesetzt werden.… …   Deutsch Wikipedia

  • Chemical vapor deposition — Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition, CVD) versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen eingesetzt werden.… …   Deutsch Wikipedia

  • Chemical vapour deposition — Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition, CVD) versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen eingesetzt werden.… …   Deutsch Wikipedia